芯片初创企业 Kepler Computing 于当地时间 9 月 10 日正式亮相,目标解决 AI 半导体领域的内存能耗、带宽、产能与成本瓶颈。该公司宣称其内存方案带宽接近 SRAM,容量优于 SRAM 乃至 HBM,且无需 EUV 光刻设备。方案采用 3D 堆叠集成技术,据称属于 FeRAM(铁电存储器),计划 2026 年底出样,2027 年扩大产能。公司正利用格罗方德新加坡 28nm 产能试产,未来也将在美国制造。其改造既有晶圆厂用于创新内存生产的过程仅用时 8 个月,约为一般情况的三分之一。未来公司还计划通过材料创新突破现有 CMOS 的固有限制,以更低电压改进能效并提升生产能力。


